Производитель Номер продукта:
IPU50R3K0CEBKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPU50R3K0CEBKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 18W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
12806776
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPU50R3K0CEBKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 30µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
84 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
18W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPU50R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
2156-IPU50R3K0CEBKMA1-IT
INFINFIPU50R3K0CEBKMA1
SP001022960
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFB23N20D
MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
IRF3709ZL
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
IRFR12N25DTRPBF
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
