Производитель Номер продукта:
IPU50R950CEAKMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPU50R950CEAKMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
12805703
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPU50R950CEAKMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
13V
Rds On (макс.) @ id, vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
231 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
53W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPU50R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
2156-IPU50R950CEAKMA2
ROCINFIPU50R950CEAKMA2
SP001396806
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD7NM80
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4929
Номер части
STD7NM80-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.69
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLS3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRF7322D1TR
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
IPP90N06S4L04AKSA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
