Производитель Номер продукта:
IPU60R1K0CEBKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPU60R1K0CEBKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
Подробное описание:
N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251
Инвентаризация:
12804325
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPU60R1K0CEBKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ CE
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
37W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPU60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-IPU60R1K0CEBKMA1-IT
ROCINFIPU60R1K0CEBKMA1
SP001276056
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB77N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
IPD640N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
IPI100N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3