Производитель Номер продукта:
IPU60R1K4C6AKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPU60R1K4C6AKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
12804889
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPU60R1K4C6AKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™ C6
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
200 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
28.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPU60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
2156-IPU60R1K4C6AKMA1
SP001292874
IFEINFIPU60R1K4C6AKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STU6N65M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
543
Номер части
STU6N65M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.44
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP77N06S212AKSA2
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IRFS3307PBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPL60R185CFD7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
