Производитель Номер продукта:
IPU60R2K0C6BKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPU60R2K0C6BKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 22.3W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
12802710
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPU60R2K0C6BKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
22.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPU60R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
2156-IPU60R2K0C6BKMA1-IT
INFINFIPU60R2K0C6BKMA1
SP000931528
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STD4NK60Z-1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
35
Номер части
STD4NK60Z-1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.28
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3515STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
BSC010N04LSTATMA1
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
