Производитель Номер продукта:
IPU60R2K1CEAKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPU60R2K1CEAKMA1-DG
Описание:
CONSUMER
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
12805137
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPU60R2K1CEAKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPU60R2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
2156-IPU60R2K1CEAKMA1
SP001493880
INFINFIPU60R2K1CEAKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFH7182TRPBF
MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
IRFU5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A IPAK
IPSA70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
