Производитель Номер продукта:
IPU80R1K0CEBKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPU80R1K0CEBKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
12806126
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPU80R1K0CEBKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
785 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPU80R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
2156-IPU80R1K0CEBKMA1-IT
SP001100624
IFEINFIPU80R1K0CEBKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL540NL
MOSFET N-CH 100V 36A TO262
IPW60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
IRFR7740PBF
MOSFET N-CH 75V 87A DPAK