Производитель Номер продукта:
IPW60R160P6FKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW60R160P6FKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Инвентаризация:
230 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803031
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW60R160P6FKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 750µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2080 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
176W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW60R160
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
INFINFIPW60R160P6FKSA1
2156-IPW60R160P6FKSA1
SP001017092
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7353D1PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IPL65R650C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
IPS65R600E6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3