Производитель Номер продукта:
IPW65R065C7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW65R065C7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Инвентаризация:
230 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804870
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW65R065C7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 850µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3020 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
171W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW65R065
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
448-IPW65R065C7XKSA1
IPW65R065C7XKSA1-DG
SP001080116
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFH5007TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
IPW65R190CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
IRF640NLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
