Производитель Номер продукта:
IPW65R190CFDFKSA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW65R190CFDFKSA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Инвентаризация:
278 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12822822
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW65R190CFDFKSA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ CFD2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
151W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-41
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW65R190
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
SP001987376
IPW65R190CFDFKSA2-DG
448-IPW65R190CFDFKSA2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3705NPBF
MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
IXFT94N30T
MOSFET N-CH 300V 94A TO268
IRFU13N15D
MOSFET N-CH 150V 14A IPAK
