IPW65R230CFD7AXKSA1
Производитель Номер продукта:

IPW65R230CFD7AXKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPW65R230CFD7AXKSA1-DG

Описание:

650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Инвентаризация:

2 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973379
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPW65R230CFD7AXKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
230mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 260µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1044 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
448-IPW65R230CFD7AXKSA1
SP003793176

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM60NC390CI C0G

600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE

infineon-technologies

IPD60R1K0PFD7SAUMA1

CONSUMER PG-TO252-3

infineon-technologies

IPDQ60R055CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

panjit

PJD16P04-AU_L2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M