Производитель Номер продукта:
IPW65R280C6FKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW65R280C6FKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Инвентаризация:
12805684
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW65R280C6FKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 440µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
950 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-1
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW65R
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
240
Другие названия
2156-IPW65R280C6FKSA1-IT
SP000785060
IPW65R280C6
IPW65R280C6-DG
INFINFIPW65R280C6FKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK14N65W,S1F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
TK14N65W,S1F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.41
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI80P04P405AKSA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3
IRFR3411PBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
IRF135S203
MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
