Производитель Номер продукта:
IPW90R120C3XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW90R120C3XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Инвентаризация:
36 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13064092
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW90R120C3XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 2.9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6800 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
417W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-21
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW90R120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
SP002548896
IPW90R120C3XKSA1-ND
448-IPW90R120C3XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF5305L
MOSFET P-CH 55V 31A TO262
IRF7459PBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IRF3205ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
