Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Инвентаризация:
33519 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804841
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™-5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 30µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
71W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
IPZ40N04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
HTML Спецификация
IPZ40N04S5L2R8ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
IPZ40N04S5L2R8ATMA1-DG
2156-IPZ40N04S5L2R8ATMA1
INFINFIPZ40N04S5L2R8ATMA1
IPZ40N04S5L2R8ATMA1DKR
SP001152004
IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
IPB60R099C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A D2PAK
IRF7809A
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
IRFBA1404
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220