Производитель Номер продукта:
IPZ60R060C7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPZ60R060C7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Подробное описание:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Инвентаризация:
235 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804479
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPZ60R060C7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 800µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2850 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
162W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
IPZ60R060
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
240
Другие названия
INFINFIPZ60R060C7XKSA1
SP001385028
2156-IPZ60R060C7XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR1205
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
IRFZ48NSPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
IRFH5300TRPBF
MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN
