IPZ60R099P6FKSA1
Производитель Номер продукта:

IPZ60R099P6FKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPZ60R099P6FKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Подробное описание:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-4

Инвентаризация:

222 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802629
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPZ60R099P6FKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 1.21mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3330 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
278W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
IPZ60R099

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
240
Другие названия
SP001313882
2156-IPZ60R099P6FKSA1
ROCINFIPZ60R099P6FKSA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

AUIRF3205ZSTRL

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRF6215STRRPBF

MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

infineon-technologies

AUIRFS3306

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

infineon-technologies

IRF7601TR

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8