IPZ65R095C7XKSA1
Производитель Номер продукта:

IPZ65R095C7XKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPZ65R095C7XKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-4

Инвентаризация:

230 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12806729
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPZ65R095C7XKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 590µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
128W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
IPZ65R095

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
240
Другие названия
SP001080130
2156-IPZ65R095C7XKSA1
IFEINFIPZ65R095C7XKSA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRFR2905ZTR

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

infineon-technologies

IRFS31N20DTRR

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

infineon-technologies

SPA02N80C3XKSA1

MOSFET N-CH 800V 2A TO220-FP

infineon-technologies

SPA11N80C3XKSA1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP