Производитель Номер продукта:
IPZA60R024P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPZA60R024P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Подробное описание:
N-Channel 600 V 101A (Tc) 291W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
Инвентаризация:
224 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13276486
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPZA60R024P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
101A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 2.03mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7144 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
291W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-4-3
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
IPZA60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
240
Другие названия
448-IPZA60R024P7XKSA1
SP001866192
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA023N04NM3SXKSA1
TRENCH <= 40V
IPB60R040CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
IPB60R210CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
