IPZA60R120P7XKSA1
Производитель Номер продукта:

IPZA60R120P7XKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPZA60R120P7XKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Подробное описание:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO247-4

Инвентаризация:

53 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803263
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPZA60R120P7XKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 410µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1544 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
95W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
IPZA60

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
INFINFIPZA60R120P7XKSA1
2156-IPZA60R120P7XKSA1
SP001707744

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRF7416TRPBF

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

infineon-technologies

IRFZ44VZS

MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK

infineon-technologies

IPB027N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

infineon-technologies

IPS135N03LGAKMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3