Производитель Номер продукта:
IPZA60R180P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPZA60R180P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Подробное описание:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Инвентаризация:
12852995
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPZA60R180P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 280µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
72W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
IPZA60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
240
Другие названия
IPZA60R180P7
IFEINFIPZA60R180P7XKSA1
2156-IPZA60R180P7XKSA1
SP001707746
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFHM830DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
IPAN80R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
HAT2266H-EL-E
MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK
