Производитель Номер продукта:
IQDH35N03LM5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IQDH35N03LM5ATMA1-DG
Описание:
TRENCH <= 40V
Подробное описание:
N-Channel 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-U04
Инвентаризация:
5000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13240563
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IQDH35N03LM5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
66A (Ta), 700A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.35mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1.46mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
262 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
18000 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 278W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSON-8-U04
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP005903785
448-IQDH35N03LM5ATMA1DKR
448-IQDH35N03LM5ATMA1CT
448-IQDH35N03LM5ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AIMZH120R160M1TXKSA1
SIC_DISCRETE
IMBG120R040M2HXTMA1
SIC DISCRETE
IPTG017N12NM6ATMA1
TRENCH >=100V