Производитель Номер продукта:
IQE006NE2LM5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IQE006NE2LM5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4
Инвентаризация:
4039 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977988
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IQE006NE2LM5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
41A (Ta), 298A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
82.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5453 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSON-8-4
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IQE006
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-IQE006NE2LM5ATMA1TR
448-IQE006NE2LM5ATMA1DKR
448-IQE006NE2LM5ATMA1CT
SP002434946
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHFL110TR-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
SI1443EDH-T1-BE3
MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
IRF9620PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
