Производитель Номер продукта:
IQE013N04LM6ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IQE013N04LM6ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4
Инвентаризация:
13079 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954679
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IQE013N04LM6ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 51µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSON-8-4
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IQE013
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-IQE013N04LM6ATMA1CT
448-IQE013N04LM6ATMA1TR
448-IQE013N04LM6ATMA1DKR
SP005340902
2156-IQE013N04LM6ATMA1-448
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM3K361TU,LXHF
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323
SI7483ADP-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
IRFP9240PBF
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
