Производитель Номер продукта:
IQE030N06NM5CGATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IQE030N06NM5CGATMA1-DG
Описание:
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Подробное описание:
N-Channel 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TTFN-9-1
Инвентаризация:
4960 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997171
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IQE030N06NM5CGATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 137A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.3V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3800 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Комплект устройства поставщика
PG-TTFN-9-1
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IQE030N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-IQE030N06NM5CGATMA1TR
SP005399428
448-IQE030N06NM5CGATMA1CT
448-IQE030N06NM5CGATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPAN60R280PFD7SXKSA1
CONSUMER PG-TO220-3
IMBG65R030M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
IPF017N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
