Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IQE046N08LM5SCATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IQE046N08LM5SCATMA1-DG
Описание:
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Подробное описание:
N-Channel 80 V 15.6A (Ta), 99A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-WHSON-8
Инвентаризация:
6000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13004216
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IQE046N08LM5SCATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.6A (Ta), 99A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 47µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3250 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-WHSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
IQE046
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IQE046N08LM5SCATMA1
HTML Спецификация
IQE046N08LM5SCATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
6,000
Другие названия
448-IQE046N08LM5SCATMA1DKR
448-IQE046N08LM5SCATMA1CT
448-IQE046N08LM5SCATMA1TR
SP005632167
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GSFN2306
MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V,
GSFH0980
MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 100V
SSFB3910L
MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 30V,
GS2N7002KW
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.34A, 60V