Производитель Номер продукта:
IQE065N10NM5SCATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IQE065N10NM5SCATMA1-DG
Описание:
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 85A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-WHSON-8-1
Инвентаризация:
13001668
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IQE065N10NM5SCATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Ta), 85A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 48µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-WHSON-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
6,000
Другие названия
SP005559080
448-IQE065N10NM5SCATMA1TR
448-IQE065N10NM5SCATMA1DKR
448-IQE065N10NM5SCATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP3096LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NVBLS0D5N04CTXGAW
MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
NTBL045N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
