Производитель Номер продукта:
IRF100P219XKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF100P219XKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 100 V 203A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
12810231
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF100P219XKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
StrongIRFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
203A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 278µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12020 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
341W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IRF100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
SP001619552
IRF100P219
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF100P219AKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
383
Номер части
IRF100P219AKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.56
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TN0106N3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
VP0550N3-G
MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
IRF6643TR1PBF
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
