IRF1010EZL
Производитель Номер продукта:

IRF1010EZL

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF1010EZL-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Подробное описание:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

Инвентаризация:

12858872
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF1010EZL Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2810 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF1010EZL

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
renesas-electronics-america

RJK0656DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK

vishay-siliconix

IRFL214PBF

MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223

onsemi

NVMFS5C638NLT1G

MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN

onsemi

NTTFS4823NTWG

MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN