Производитель Номер продукта:
IRF1010EZPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF1010EZPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
9758 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12816113
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF1010EZPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2810 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF1010
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF1010EZPBF
SP001571244
2156-IRF1010EZPBF
IFEINFIRF1010EZPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3205STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
SPS03N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
