Производитель Номер продукта:
IRF1405ZS-7P
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF1405ZS-7P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 55 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Инвентаризация:
12805758
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF1405ZS-7P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5360 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK (7-Lead)
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF1405ZS-7P
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
IRF6797MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
IRFZ48ZS
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK