Производитель Номер продукта:
IRF1902TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF1902TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
12804312
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF1902TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.7V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
700mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
310 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
IRF1902TRPBF-DG
IRF1902TRPBFTR
SP001564704
IRF1902TRPBFCT
IRF1902TRPBFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF5210L
MOSFET P-CH 100V 40A TO262
IRF3710ZSPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IPW80R290C3AFKSA1
MOSFET N-CH 800V TO247