Производитель Номер продукта:
IRF200P222
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF200P222-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 200 V 182A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
971 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804197
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF200P222 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
StrongIRFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
182A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.6mOhm @ 82A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
203 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9820 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
556W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IRF200
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
IRF200P222-DG
SP001582092
448-IRF200P222
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR9N20DTR
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
IPW60R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
IRF7459TRPBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
