Производитель Номер продукта:
IRF2204LPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF2204LPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 170A TO262
Подробное описание:
N-Channel 40 V 170A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
13064106
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF2204LPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Упаковка
Tube
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 130A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5890 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001574580
*IRF2204LPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB120N4F6
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
944
Номер части
STB120N4F6-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.93
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STI270N4F3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
888
Номер части
STI270N4F3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.55
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
IRF7807VD1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRFI4229PBF
MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
