IRF250P224
Производитель Номер продукта:

IRF250P224

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF250P224-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 250 V 96A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC

Инвентаризация:

323 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12815481
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF250P224 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
StrongIRFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
203 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9915 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
313W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IRF250

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
25
Другие названия
448-IRF250P224
IRF250P224-DG
SP001582438
2156-IRF250P224

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

DN3525N8-G

MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA

infineon-technologies

IPA075N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

texas-instruments

CSD18511KTTT

MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK

texas-instruments

CSD16415Q5T

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON