IRF2807ZLPBF
Производитель Номер продукта:

IRF2807ZLPBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF2807ZLPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 75V 75A TO262
Подробное описание:
N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262

Инвентаризация:

12804703
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF2807ZLPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.4mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3270 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001553914
*IRF2807ZLPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPW60R145CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER

infineon-technologies

IRFH5301TRPBF

MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN

infineon-technologies

IRF7413TRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

infineon-technologies

IPP070N06L G

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3