Производитель Номер продукта:
IRF3205ZPBFAKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF3205ZPBFAKSA1-DG
Описание:
TRENCH 40<-<100V
Подробное описание:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Инвентаризация:
13269512
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF3205ZPBFAKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-904
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP005724919
448-IRF3205ZPBFAKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB70N10S3L12ATMA2
MOSFET_(75V 120V(
IMW65R007M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPP034N08N5XKSA1
TRENCH 40<-<100V