Производитель Номер продукта:
IRF3315S
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF3315S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
12805563
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF3315S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
82mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF3315S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTA36N30P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1630
Номер части
IXTA36N30P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.26
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFP4710PBF
MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC
SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
