Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRF3710ZGPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF3710ZGPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12822747
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF3710ZGPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
160W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRF3710ZGPBF
HTML Спецификация
IRF3710ZGPBF-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001564604
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NTP6412ANG
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
114
Номер части
NTP6412ANG-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.86
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IRF3710ZPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1894
Номер части
IRF3710ZPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.60
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXTP60N10T
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
21
Номер части
IXTP60N10T-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.10
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP60NF10
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
980
Номер части
STP60NF10-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.23
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP45N10F7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STP45N10F7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.67
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLR2705PBF
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
IRF7413ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
PHB11N06LT,118
MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
IRFR3711ZTRRPBF
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK