Производитель Номер продукта:
IRF3711PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF3711PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12807382
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF3711PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2980 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001561720
*IRF3711PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLR8103
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
IRF6644TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRFB3077GPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
