Производитель Номер продукта:
IRF40H210
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF40H210-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Подробное описание:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
12805895
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF40H210 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®, StrongIRFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5406 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
IRF40H210
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
IRF40H210TR
IRF40H210DKR
SP001571340
IRF40H210CT
IRF40H210-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS33N15DTRLP
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
SPD11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252-3
IPD50N06S214ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
