Производитель Номер продукта:
IRF5803TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF5803TRPBF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Подробное описание:
P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Инвентаризация:
52523 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12805844
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF5803TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
112mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1110 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Micro6™(TSOP-6)
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
IRF5803
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
IRF5803TRPBFTR
IRF5803TRPBFDKR
IRF5803TRPBFCT
SP001564566
IRF5803TRPBF-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7805A
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
SPB80N03S2L-06
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPI05CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3