Производитель Номер продукта:
IRF5851
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF5851-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
12804394
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF5851 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.7A, 2.2A
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400pF @ 15V
Мощность - Макс
960mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Базовый номер продукта
IRF58
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
100
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7316GTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
IRF7341TRPBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
IRF5852TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP