Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRF5852TR
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF5852TR-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12809249
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF5852TR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.7A
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400pF @ 15V
Мощность - Макс
960mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Базовый номер продукта
IRF58
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRF5852
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDC6305N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
19890
Номер части
FDC6305N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.17
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF40H233XTMA1
MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
IRF7106
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
IRF7750TR
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
TC6320K6-G
MOSFET N/P-CH 200V 8DFN