Производитель Номер продукта:
IRF60DM206ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF60DM206ATMA1-DG
Описание:
FET N-CHANNEL
Подробное описание:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Инвентаризация:
13268344
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF60DM206ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DirectFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6530 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DirectFET™ Isometric ME
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric ME
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,800
Другие названия
448-IRF60DM206ATMA1TR
448-IRF60DM206ATMA1DKR
448-IRF60DM206ATMA1CT
SP005573710
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTA1N100-TRL
MOSFET N-CH TO263
IXTA1970-TRL
MOSFET N-CH TO263
IXFH50N80XA
MOSFET N-CH 50A TO247