Производитель Номер продукта:
IRF6215S
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6215S-DG
Описание:
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Подробное описание:
P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
12802916
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6215S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF6215S
SP001551138
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FQB12P20TM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
FQB12P20TM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.77
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF6621TR1
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
IRF3805PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
BSC030N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON