Производитель Номер продукта:
IRF6603TR1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6603TR1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Инвентаризация:
12805191
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6603TR1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta), 92A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+20V, -12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6590 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MT
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MT
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001531594
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB65R125C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3
SPW12N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3
IRLU3114ZPBF
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
