IRF6607TR1
Производитель Номер продукта:

IRF6607TR1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF6607TR1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

Инвентаризация:

12808408
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF6607TR1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta), 94A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 7V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6930 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MT
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MT

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001530714

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

TN2124K1-G

MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB

infineon-technologies

IRFR5505TRLPBF

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

microchip-technology

VP0104N3-G

MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3

microchip-technology

TN0610N3-G

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3