Производитель Номер продукта:
IRF6608TR1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6608TR1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Инвентаризация:
12805169
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6608TR1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Ta), 55A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2120 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ ST
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric ST
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001528864
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3710ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IPP60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
IRF6613TR1
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
