Производитель Номер продукта:
IRF6617TRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6617TRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Инвентаризация:
12823217
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6617TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta), 55A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ ST
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric ST
Базовый номер продукта
IRF6617
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,800
Другие названия
IRF6617TRPBFDKR
IRF6617TRPBFCT
SP001531694
IRF6617TRPBFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS3004TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IRF6715MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
BUK9635-100A,118
MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
