Производитель Номер продукта:
IRF6620TR1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6620TR1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Инвентаризация:
12805123
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6620TR1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta), 150A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.45V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4130 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MX
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MX
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001530074
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF6620TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
International Rectifier
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
980
Номер части
IRF6620TRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.64
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI65R420CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262-3
IPS04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
IPP65R420CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3
